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PHB23NQ10T	文件：99.37 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:- •d.c.tod.c.converters •switchedmodepowers	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PHX23NQ10T	文件：61.65 Kbytes Page：8 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticfullpackenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching Applications:- •d.c.tod.c.converters •switchedmodepowersupplies •T.V.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHB23NQ10LT
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PHB23NQ10LT供应商更新时间2024-6-22 15:30:00

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