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PH3135-90S	文件：155.05 Kbytes Page：2 Pages	Radar Pulsed Power Transistor, 90W,2ms Pulse,10Duty 3.1-3.5GHz Features •NPNSiliconMicrowavePowerTransistors •CommonBaseConfiguration •BroadbandClassCOperation •HighEfficiencyInterdigitatedGeometry •DiffusedEmitterBallastingResistors •GoldMetallizationSystem •InternalInputandOutputImpedanceMatching •HermeticMetal/Ceramic	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司
PH3135-90S	文件：100.19 Kbytes Page：2 Pages	Radar Pulsed Power Transistor 90W, 3.1-3.5 GHz, 2關s Pulse, 10 Duty Features •NPNsiliconmicrowavepowertransistors •Commonbaseconfiguration •BroadbandClassCoperation •Highefficiencyinter-digitizedgeometry •Diffusedemitterballastingresistors •Goldmetallizationsystem •Internalinputandoutputimpedancematching •Hermeticmetal/cerami	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
PH3135-90S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar ·NPN Silicon Microwave Power Transistors\n·RoHS Compliant\n·Hermetic Metal/Ceramic Package\n·Internal Input and Output Impedance Matching\n·Gold Metallization System\n·High Efficiency Inter-Digitized Geometry\n·Diffused Emitter Ballasting Resistor\n·Broadband Class C Operation\n·Common Base Configur;	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司
PH3135-90S	文件：100.19 Kbytes Page：2 Pages	Radar Pulsed Power Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
PH3135-90S_15	文件：100.19 Kbytes Page：2 Pages	Radar Pulsed Power Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
PH3135-90S_17	文件：100.19 Kbytes Page：2 Pages	Radar Pulsed Power Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.

技术参数

Min Frequency(MHz)：
3100
Max Frequency(MHz)：
3500
Bias Voltage(V)：
36.0
Pout(W)：
90.00
Gain(dB)：
7.50
Efficiency(%)：
35
Type：
Bipolar
Package：
Flange Ceramic Pkg
Package Category：
Ceramic Flange Mount

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