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PH2525L	文件：219.43 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications 1.4Quickreferencedata nLogiclevelthresholdnLead-freepackage nOptimizedforuseinDC-to-DC converters nVer	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PI2525	文件：44.77 Kbytes Page：4 Pages	Polyimide	HDMS HD MicroSystems, Ltd	HDMS
PMB2525	文件：148.72 Kbytes Page：2 Pages	TheIndustry?셲HighestPerformanceGPSReceiverinthesmallestpackageyet.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
RL-2525	文件：1.24111 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCHIPINDUCTORS	RENCO RENCO ELECTRONICS	RENCO
RTD2525	文件：2.75047 Mbytes Page：307 Pages	FlatPanelDisplayController Features General ProgrammableScalingupanddown Noexternalmemoryrequired. Requireonlyonecrystaltogeneratealltiming. Programmable3.3Vdetectionformulti-power domaininasystem 2channels8bitsPWMoutput,andwiderange selectablePWMfrequency. Support	REALTEKRealtek Semiconductor Corp. 瑞昱瑞昱半导体股份有限公司	REALTEK
SE2525L	文件：1.0009 Mbytes Page：12 Pages	RangeCharger??2.4GHzPowerAmplifierwithPowerDetectorPreliminaryInformation	SiGe SiGe Semiconductor, Inc.	SiGe
SE2525L-R	文件：1.0009 Mbytes Page：12 Pages	RangeCharger??2.4GHzPowerAmplifierwithPowerDetectorPreliminaryInformation	SiGe SiGe Semiconductor, Inc.	SiGe
SFS2525	文件：142.83 Kbytes Page：2 Pages	25AMPS100??400VOLTSFASTSWITCHINGSILICONCONTROLLEDRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SG2525A	文件：241.28 Kbytes Page：7 Pages	REGULATINGPULSEWIDTHMODULATOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2525A	文件：135.8 Kbytes Page：7 Pages	REGULATINGPULSEWIDTHMODULATOR Description TheSG1525A/1527Aseriesofpulsewidthmodulatorintegratedcircuitsaredesignedtoofferimprovedperformanceandlowerexternalpartscountwhenusedtoimplementalltypesofswitchingpowersupplies.Theon-chip+5.1Vreferenceistrimmedto±1initialaccuracyandtheinputco	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
PH2525L
功能描述：
MOSFET TRENCH G4- TAPE 7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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