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FR9N20D	文件：1.76292 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IIRFR9N20D	文件：336.4 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9N20D	文件：126.79 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.38ohm,Id=9.4A) SMPSMOSFET Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9N20D	文件：3.7302 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET SMPSMOSFET Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9N20D	文件：336.4 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9N20DPBF	文件：3.8431 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9N20DPBF	文件：231.67 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9N20DPBF	文件：222.52 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9N20DTRPBF-TP	文件：998.31 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET200V,6.0A,0.65Q Features\| +Vos=200v ©os60A ©Rosow50650@Vos=10V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFU9N20D	文件：247.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-251(IPAK)packaging •Highspeedswitching •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •DC-DCconverters •Motorcontrol •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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