PESD2IVN24T-Q分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

厂商型号	PESD2IVN24T-Q
参数属性	PESD2IVN24T-Q 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单；产品描述：AUTOMOTIVE IN-VEHICLE NETWORK PR
功能描述	ESD protection for In-vehicle networks AUTOMOTIVE IN-VEHICLE NETWORK PR
丝印标识	BV
封装外壳	SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	281.35 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称	NEXPERIA【安世】
中文名称	安世半导体(中国)有限公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-1 23:00:00
人工找货	PESD2IVN24T-Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

PESD2IVN24T-Q规格书详情

PESD2IVN24T-Q属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的PESD2IVN24T-Q二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

1. General description

ESD protection device in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package,

designed to protect two automotive In-vehicle network bus lines from the damage caused by

ElectroStatic discharge (ESD) and other transients.

2. Features and benefits

• Reverse stand-off voltage: VRWM = 24 V

• Low clamping voltage: VCL= 33 V at IPPM = 3.5 A

• Typ. diode capacitance matching: ΔCd/Cd = 0.1

• ESD protection up to 30 kV (IEC 61000-4-2)

• ESD protection up to 30 kV (ISO 10605; C = 330 pF, R = 330 Ω)

• ISO 7637-3: Pulse a: VS = -150 V / Pulse b: VS = +100 V

• Ultra low leakage current: IRM = 1 nA

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

ESD protection for In-vehicle network lines in automotive environments

• CAN

• LIN

• FlexRay

• SENT

产品属性

产品编号：
PESD2IVN24T-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±16.39%
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
AUTOMOTIVE IN-VEHICLE NETWORK PR

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