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PESD12VL1BA	文件：335.89 Kbytes Page：4 Pages	Microprocessorbasedequipment Features ■260Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) ■Bidirectionalconfigurations ■Solid-statesilicon-avalanchetechnology ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair ■IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) ■IEC61000-4-5(Lightning)10A(8/20μs) Applic	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
PESD12VL1BA	文件：236.43 Kbytes Page：11 Pages	LowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription BidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmallSOD323(SC-76)SMD plasticpackagedesignedtoprotectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandother transients. 2.Featuresandbenefits •BidirectionalESDprotectionofoneline •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD12VL1BA	文件：994.77 Kbytes Page：4 Pages	1-LineBi-directionalDiode	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
PESD12VL1BA	文件：190.69 Kbytes Page：15 Pages	LowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiodesinSOD323	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD12VL1BA	文件：190.69 Kbytes Page：15 Pages	LowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiodesinSOD323	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD12VL1BA	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD12VL1BA	文件：179.5 Kbytes Page：15 Pages	LowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiodesin	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD12VL1BA-Q	文件：236.56 Kbytes Page：11 Pages	LowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription BidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmallSOD323(SC-76)SMD plasticpackagedesignedtoprotectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandother transients. 2.Featuresandbenefits •BidirectionalESDprotectionofoneline	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD12VL1BSL	文件：225.74 Kbytes Page：11 Pages	ESDprotectiondevice 1.Generaldescription BidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaDFN1006-2(SOD882-S1) leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits •B	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
TPPESD12VL1BA	文件：1.08558 Mbytes Page：4 Pages	1-LineBl-directionalTVSDiode Features 350Wpeakpulsepower(8/20ps) Protectsonedataorpowerline Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:12V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: ~IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV Contactdischarge:£30kV ~IEC61000-	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市德力诚信科技有限公司	PESD12VL1BA-N	BORN	24+	con	100	现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格https://www.jbchip.com/index	询价
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