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PEMD19

NPN/PNP resistor-equipped transistors

General description NPN/PNP resistor-equipped transistors. Features ■ Built-in bias resistors ■ Simplifies circuit design ■ Reduces component count ■ Reduces pick and place cost Applications ■ Low current peripheral driver ■ Control of IC inputs ■ Replacement of general-purpose transisto

文件:62.72 Kbytes 页数:11 Pages

PHI

飞利浦

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PEMD19

PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kW, R2 = open

Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place cost

文件:185.92 Kbytes 页数:11 Pages

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

PEMD19_PUMD19_15

NPN/PNP resistor-equipped transistors R1 = 22 kW, R2 = open

文件:71.35 Kbytes 页数:11 Pages

PHI

飞利浦

PHI

PEMD19

NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kOhm, R2 = open

NPN/PNP resistor-equipped transistors. • Built-in bias resistors\n• Simplifies circuit design\n• Reduces component count\n• Reduces pick and place cost\n• AEC-Q101 qualified;

Nexperia

安世

技术参数

  • Package version:

    SOT666

  • Package name:

    SOT666

  • Size (mm):

    1.6 x 1.2 x 0.55

  • channel type:

    NPN/PNP

  • P_tot (mW):

    300

  • I_C [max] (mA):

    100

  • R1 (typ) (kΩ):

    22

  • V_CEO (V):

    50

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更多PEMD19供应商 更新时间2025-10-5 13:57:00