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PDTC115ET分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

PDTC115ET
厂商型号

PDTC115ET

参数属性

PDTC115ET 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

422.65 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-5 9:31:00

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PDTC115ET规格书详情

FEATURES

•Built-in bias resistors

•Simplified circuit design

•Reduction of component count

•Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

•General purpose switching and amplification

•Inverter and interface circuits

•Circuit driver.

产品属性

  • 产品编号:

    PDTC115ET,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    150mV @ 250µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

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