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PDTB143XT分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

PDTB143XT
厂商型号

PDTB143XT

参数属性

PDTB143XT 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 0.46W

功能描述

500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors
TRANS PREBIAS PNP 0.46W

丝印标识

4Y

封装外壳

TO-236AB / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

2.53511 Mbytes

页面数量

18

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 20:00:00

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PDTB143XT规格书详情

PDTB143XT属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的PDTB143XT晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

特性 Features

 500 mA output current capability

 Built-in bias resistors

 Simplifies circuit design

 Reduces component count

  10 resistor ratio tolerance

 AEC-Q101 qualified

 High temperature applications

up to 175 °C

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PDTB143XTVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 0.46W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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