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PDTA123T中文资料PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PDTA123T

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-12-2 8:48:00

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技术参数

  • 型号:

    PDTA123T

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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