| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ST/意法PowerSO-12 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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STSMD |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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8216 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
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30000 |
22+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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ST原厂原封 |
36900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
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ST原厂原封 |
16900 |
22+ |
支持样品 原装现货 提供技术支持! |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
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STTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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STMicroelectronicsPowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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ST/意法半导体10RF-Straight-4 |
6000 |
21+ |
原装现货 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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ST/意法半导体10RF-Straight-4 |
8080 |
2022+ |
我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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STMicroelectronicsPowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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STMicroelectronicsPowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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STMicroelectronicsPowerSO-10 裸露底部焊盘 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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STMicroelectronicsPowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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ST高频管 |
29516 |
20+ |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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ST原装 |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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NA |
3000 |
22+ |
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PD85035采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
PD85035图片
PD85035-E价格
PD85035-E价格：￥150.4088品牌：STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD85035-E多少钱，想知道PD85035-E价格是多少？参考价：￥150.4088。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，PD85035-E批发价格及采购报价，PD85035-E销售排行榜及行情走势，PD85035-E报价。
PD85035TR-E中文资料Alldatasheet PDF
更多PD85035A-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Radio Freq LDMO LDMOS 7/12 V HF/VHF RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85035C功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Power Trans. LDMOST family RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85035-E功能描述:MOSFET POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
PD85035-E_08制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD85035S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85035STR1-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85035STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85035TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
