PD85035-E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PD85035-E |
| 参数属性 | PD85035-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 40V 870MHZ |
| 功能描述 | RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
| 封装外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 文件大小 |
384.36 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | PD85035-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PD85035-E规格书详情
PD85035-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的PD85035-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
PD85035-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
870MHz
- 增益：
17dB
- 额定电流（安培）：
8A
- 功率 - 输出：
15W
- 封装/外壳：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装：
PowerSO-10RF（成形引线）
- 描述：
FET RF 40V 870MHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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