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PD57060-E中文资料RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs数据手册ST规格书

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厂商型号

PD57060-E

参数属性

PD57060-E 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

功能描述

RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

封装外壳

PowerSO-10 裸露底部焊盘

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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PD57060-E规格书详情

简介

PD57060-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD57060-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

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  • 产品编号:

    PD57060-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    945MHz

  • 增益:

    14.3dB

  • 额定电流(安培):

    7A

  • 功率 - 输出:

    60W

  • 封装/外壳:

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 供应商器件封装:

    10-PowerSO

  • 描述:

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

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