首页 >PCM1723E.B>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

UPA1723

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1723isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPA1723

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.0A) •LowCiss:Ciss=3800pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA1723G

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.0A) •LowCiss:Ciss=3800pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA1723G

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1723isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
99
3000
公司存货
询价
TI/TEXAS
23+
原厂封装
8931
询价
BB
23+
SSOP-24
8890
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询
询价
ti/BB
24+
SSOP
5000
全现原装公司现货
询价
BURRBROWN
1706+
?
6500
只做原装进口,假一罚十
询价
ti/BB
0414+
SSOP
1070
原装现货海量库存欢迎咨询
询价
TI
16+
原厂封装
10000
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询
询价
TI/BB
22+
SSOP
1000
全新原装现货!自家库存!
询价
ti/BB
25+23+
SSOP
37091
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
TexasInstruments
18+
ICSTEREOAUDDACW/PLL24-SS
6580
公司原装现货/欢迎来电咨询!
询价
更多PCM1723E.B供应商 更新时间2025-7-20 14:01:00