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BF990A	文件：71.14 Kbytes Page：8 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsourceandsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •RFapplicationssucha	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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LT990	文件：151.19 Kbytes Page：4 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLT990isa1-FormAsolidstaterelayinan6pinSMDpackagethatemploys opticallycoupledMOSFETtechnologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutput isolation.TheopticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfrared LEDandMOSFETsontheoutputsid	LETEXLETEX technology corp 台湾丽太丽太科技股份有限公司	LETEX
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更多PC990V供应商更新时间2024-6-16 15:30:00

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