PBSS8510PA 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 NXP/恩智浦

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1+	面议

厂家型号：
PBSS8510PA
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
生产厂商：
NXP/恩智浦
库存数量：
976000
产品封装：
SOP
生产批号：
22+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2024-4-24 16:02:00

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详细信息
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原厂料号：PBSS8510PA品牌：NXP

郑重承诺只做原装进口现货

PBSS8510PA是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商NXP/Nexperia USA Inc.生产封装SOP/3-PowerUDFN的PBSS8510PA晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
PBSS8510PA
规格书：
下载下载2
企业简称：
NEXPERIA【安世】详情
中文名称：
安世半导体(中国)有限公司
内容页数：
16 页
文件大小：
290.47 kb
资料说明：
100 V, 5.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
PBSS8510PA,115
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
340mV @ 260mA，5.2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
95 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-PowerUDFN
供应商器件封装：
3-HUSON（2x2）
描述：
TRANS NPN 100V 5.2A 3HUSON

供应商

企业：
深圳市东来宝电子科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
邓先生(本公司为一般纳税人)
手机：
13622346275
询价：
电话：
十年信誉只做原装正品
传真：
0755-82785903
地址：
深圳市龙岗区布吉街道景芬路华浩源2栋1单元201室/香港九龍新界圓藍天水圍嘉湖山莊賞湖居六座39E

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