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PBSS5360PAS-Q	文件：309.17 Kbytes Page：15 Pages	丝印：EA；Package：DFN2020D-3；60 V, 3A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor, encapsulated in an ultra thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and visible and soldarable side pads. NPN complement: PBSS4360PAS-Q 2. Features and benefits • Low 文件：309.17 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5360PAS-Q	文件：310.27 Kbytes Page：15 Pages	丝印：EA；Package：DFN2020D-3；60 V, 3A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor, encapsulated in an ultra thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and visible and soldarable side pads. NPN complement: PBSS4360PAS-Q 2. Features and benefits • Low 文件：310.27 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5360PAS-Q_V01	文件：310.27 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 3A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor, encapsulated in an ultra thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and visible and soldarable side pads. NPN complement: PBSS4360PAS-Q 2. Features and benefits • Low 文件：310.27 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5360PAS-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single bipolar transistors	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS5360PAS-QX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A DFN2020D-3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
DFN2020D-3
Size (mm)：
2 x 2 x 0.65
Polarity：
PNP
Ptot [max] (mW)：
2500
VCEO [max] (V)：
-60
IC [max] (A)：
-3
ICM [max] (A)：
-6
hFE [min]：
150
hFE [typ]：
250
fT [min] (MHz)：
65
fT [typ] (MHz)：
120
VCEsat [max] (mV)：
-450

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