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PBSS5250PAS	文件：282.53 Kbytes Page：14 Pages	丝印：G5；Package：SOT1061D；50 V, 2 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to 文件：282.53 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5250PAS-Q	文件：283.74 Kbytes Page：14 Pages	丝印：G5；Package：SOT1061D；50 V, 2 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to 文件：283.74 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PBSS5250PAS-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	50 V, 2 A PNP low VCEsat transistor PNP low VCEsat transistor in a DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN2020D-3
Size (mm)：
2 x 2 x 0.65
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
500
VCEO [max] (V)：
-50
IC [max] (mA)：
-2000
hFE [min]：
200
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
N

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