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PBSS5220T	文件：55.91 Kbytes Page：7 Pages	20V, 2A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package offering ultra low VCEsat and RCEsat parameters. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit 文件：55.91 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5220T	文件：186.65 Kbytes Page：8 Pages	丝印：3F；Package：SOT23；20 V, 2 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • A 文件：186.65 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5220T-Q	文件：234.68 Kbytes Page：10 Pages	丝印：3F；Package：SOT23；20 V, 2 A PNP low VCEsat transistor 1. General description PNP low VCEsat transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Q 文件：234.68 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5220T_15	文件：282.17 Kbytes Page：7 Pages	20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：282.17 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5220T-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 2 A PNP low VCEsat transistor PNP low VCEsat transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability: IC and ICM\n• Higher efficiency leading to less heat generation\n• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS5220T,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2A TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5220T-QR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2A TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Polarity：
PNP
Ptot [max] (mW)：
480
VCEO [max] (V)：
-20
IC [max] (A)：
-2
ICM [max] (A)：
-3
hFE [min]：
225
fT [min] (MHz)：
100
VCEsat [max] (mV)：
-250

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