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PBSS4160PANPS	文件：331.97 Kbytes Page：23 Pages	60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 1. General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. NPN/NPN complement: PBSS4160PANS. PNP/PNP complement: PBSS5160PAPS. 2. 文件：331.97 Kbytes 页数：23 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4160PANPS	文件：804.95 Kbytes Page：23 Pages	丝印：3G；Package：DFN2020D-6；60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. NPN/NPN complement: PBSS4160PANS. PNP/PNP complement: PBSS5160PAPS. Features 文件：804.95 Kbytes 页数：23 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160PANPSX	文件：331.97 Kbytes Page：23 Pages	60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 1. General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. NPN/NPN complement: PBSS4160PANS. PNP/PNP complement: PBSS5160PAPS. 2. 文件：331.97 Kbytes 页数：23 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4160PANPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.\n NPN/NPN complement: PBSS4160PANS. PNP/PNP complement: PBSS5160PAPS. • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain hFE at high IC\n• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements\n• Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity\n• High energy efficiency du;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN2020D-6
Size (mm)：
2 x 2 x 0.65
Product status：
Production
Polarity：
NPN/PNP
Nr of transistors：
2
Ptot [max] (mW)：
1040
VCEO [max] (V)：
60
IC [max] (A)：
1
VCEsat [max] (NPN) (mV)：
220
VCEsat [max] (PNP) (mV)：
-340
RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)：
360
hFE [min]：
290
fT [typ] (MHz)：
175

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