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PBSS4041SN	文件：300 bytes Page：1 Pages	PBSS4041SN - 60 V, 6.7 A NPN/NPN low V_CEsat (BISS) transistor 60 V, 6.7 A NPN/NPN low V_CEsat (BISS) transistor - NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement: PBSS4041SPN; ·Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n·High collector current capability IC and ICM\n·High collector current gain (hFE) at high IC\n·High efficiency due to less heat generation\n·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n;	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PBSS4041SN	文件：1.05495 Mbytes Page：15 Pages	丝印：4041SN；Package：SO8；60 V, 6.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PBSS4041SN	文件：399.56 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 6.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
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技术参数

Package version：
SOT96-1
Package name：
SO8
Size (mm)：
4.9 x 3.9 x 1.75
Product status：
Production
Polarity：
NPN
number of transistors：
2
P_tot [max] (mW)：
1399.9999999999999
V_CEO [max] (V)：
60
I_C [max] (A)：
6.7
V_CEsat [max] (NPN) (mV)：
350
R_CEsat@I_C [max]; I_C/I_B =10 [typ] (mΩ)：
48.000000000000001
h_FE [min]：
300
f_T [typ] (MHz)：
130

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