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AM2908	文件：595.14 Kbytes Page：13 Pages	OneChannelH-BridgeDrMOS FeaturesandBenefits LowestRDS(ON)=45mΩ 60VAbsoluteMaximumVoltage 4.5AMaximumContinuousCurrent. LowestRDS(ON)andSmallPackage 10~50VOperatingVoltageRange OvercurrentProtection ThermalShutdownProtection UndervoltageLockout FaultIndicatorPin LowStandbyCurre	AMTEK Amtek Technology Co., Ltd.	AMTEK
AMS2908	文件：65.8 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR GENERALDESCRIPTION TheTheAMS2908seriesofadjustableandfixedvoltageregulatorsaredesignedtoprovide800mAoutputcurrentandtooperatedownto1Vinput-to-outputdifferential.Thedropoutvoltageofthedeviceisguaranteedmaximum1.3Vatmaximumoutputcurrent,decreasingatlowerlo	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS2908	文件：63.54 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
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AOD2908	文件：1.80965 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD2908	文件：321.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD2908	文件：1.77516 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOD2908	文件：272.73 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AUIRLR2908	文件：672.6 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRLR2908TR	文件：236.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IIRLR2908	文件：335.61 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR2908	文件：1.06845 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR2908	文件：335.61 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR2908	文件：206.37 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fasts	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR2908PBF	文件：325.14 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fasts	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR2908PBF	文件：340.72 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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更多PAN2908D供应商更新时间2024-6-1 15:17:00

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