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P9006EVA	文件：422.6 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：422.6 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
P9006EVA	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Unikc 旭康微	Unikc
P9006EVA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM
P9006EVG	文件：494.9 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：494.9 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P9006EVG	文件：1.06445 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.06445 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
P9006EVG	文件：1.57448 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= - 60V, ID= -12A RDS(ON) 文件：1.57448 Mbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip

技术参数

Package：
SOP-8
Configuration：
Single
Type：
P
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
-60
VGS (±V)：
25
ID (A)：
-3.6
RDS(ON)mΩmax at 10V：
90
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
135
RDS(ON)mΩmax at 2.5V：
/
RDS(ON)mΩmax at 1.8V：
/
VGS(th) max：
-2.3
Typical Ciss(pF)：
539
Typical Coss(pF)：
60
Typical Crss(pF)：
41
Typical Qg(nC)：
11.6
Typical Qgd(nC)：
3.4

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更多P9006EVA供应商更新时间2025-10-26 14:00:00

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