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75N05	文件：58.95 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
75N05E	文件：280.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTB75N05HD	文件：246.16 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB75N05HD	文件：254.48 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET75AMPERES50VOLTS HDTMOSE-FET™HighEnegyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponent	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP75N05	文件：296.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP75N05HD	文件：89.23 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET75Amps,50Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP75N05HD	文件：214 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET75AMPERESRDS(on)=9.5mW50VOLTS HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergy–efficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrec	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
OM75N05SA	文件：81.42 Kbytes Page：8 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE DESCRIPTION ThisseriesofhermeticpackagedMOSFETsareideallysuitedforlowvoltageapplications;batterypoweredvoltagepowersupplies,motorcontrols,dctodcconvertersandsynchronousrectification.Thelowconductionlossallowssmallerheatsinkingandthelowgatechangesimplerdriv	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
OM75N05SA	文件：75.94 Kbytes Page：8 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
OM75N05SC	文件：81.42 Kbytes Page：8 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE DESCRIPTION ThisseriesofhermeticpackagedMOSFETsareideallysuitedforlowvoltageapplications;batterypoweredvoltagepowersupplies,motorcontrols,dctodcconvertersandsynchronousrectification.Thelowconductionlossallowssmallerheatsinkingandthelowgatechangesimplerdriv	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
OM75N05SC	文件：75.94 Kbytes Page：8 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
RFG75N05E	文件：53.84 Kbytes Page：6 Pages	75A,50V,0.008Ohm,N-ChannelPowerMOSFET TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
SFF75N05M	文件：53.81 Kbytes Page：2 Pages	75AMP50VOLTS15mohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
SFF75N05Z	文件：53.81 Kbytes Page：2 Pages	75AMP50VOLTS15mohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI SSDI	SSDI

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