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P6NA60	文件：206.48 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
P6NA60FI	文件：206.48 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
PHP6NA60E	文件：21.42 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistorsLowcapacitanceAvalancheenergyrated	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX6NA60E	文件：25.61 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorsLowcapacitanceAvalancheenergyrated	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
STB6NA60	文件：130.28 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1Ω ■±30VGATETOSOURCEVOLTAGERATING ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWINTRINSICCAPACITANCES ■GATECHARGEMINIMIZED ■REDUCEDTHRESHOLDVOLTAGESPREAD ■THROUGH-HOLEI2PAK(TO-	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP6NA60	文件：206.48 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP6NA60FI	文件：206.48 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP6NA60FP	文件：50.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptmizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(o	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市启明微电子有限公司	P6NA60直插晶振	ST/意法	3126	TO-220	27		询价
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深圳市恒创达实业有限公司	P6NA80FI	ST/进口原	17+	TO-220F	6200		询价
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深圳市国宇半导体科技有限公司	P6NA80FI	S	23+	TO-220F	10000	公司只做原装正品	询价

更多P6NA60FP供应商更新时间2024-5-29 17:08:00

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