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P6B28HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 280V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

文件:353.5 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

P6B28HP2

Power MOSFETs 280V, 6A, N-channel

文件:1.88014 Mbytes 页数:7 Pages

SHINDENGEN

P6B28HP2

MOSFET

Shindengen

新电元

P6KE100A

SUNMATE(森美特)
DO-15

SUNMATE(森美特)

上传:深圳冠荣电子有限公司

SUNMATE(森美特)

P6KE100CA

SUNMATE(森美特)
DO-15

SUNMATE(森美特)

上传:深圳冠荣电子有限公司

SUNMATE(森美特)

技术参数

  • VDSS (V):

    280

  • VGSS (V):

    ±30

  • ID (A):

    6

  • RDS(on) (typ) (Ω):

    0.66

  • PT (W):

    35

  • Tch (℃):

    150

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SHINDENGEN/新电元
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TO-252
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更多P6B28HP2供应商 更新时间2025-10-11 14:02:00