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SSH5N90	文件：264.59 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
SSH5N90A	文件：281.89 Kbytes Page：6 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
SSH5N90A	文件：273.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSI5N90A	文件：274.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSP5N90	文件：52.78 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSP5N90A	文件：52.78 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSP5N90A	文件：281.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STP5N90	文件：371.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=2.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP5N90	文件：363.89 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.9Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWINPUTCAPACITANCE ■LOWGATECHARGE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWIT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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