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PHX5N50E	文件：24.88 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionofPHP8N50E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PHX5N50E	文件：318.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RMP5N50TI	文件：438.49 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET GeneralFeatures VDS=500V,ID=5A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SFP5N50	文件：210.27 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SIF5N50D	文件：320.91 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
SIHD5N50D	文件：331.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHD5N50D	文件：1.32895 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SIHD5N50D	文件：205.21 Kbytes Page：9 Pages	DSeriesPowerMOSFET FEATURES •Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) •Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircui	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF5N50D	文件：318.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHF5N50D	文件：175.45 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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