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NTE2349	文件：26.78 Kbytes Page：2 Pages	SiliconDarlingtonTransistorsHighCurrent,GeneralPurpose Description: TheNTE2349(NPN)andNTE2350(PNP)aresiliconcomplementaryDarlingtontransistorsinaTO3typepackagedesignedforuseasoutputdevicesingeneralpurposeamplifierapplications. Features: •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=25A hFE=400(Min)@IC	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
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更多P2349WF供应商更新时间2024-4-29 9:51:00

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