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P123中文资料POLYFET数据手册PDF规格书

P123
厂商型号

P123

功能描述

PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件大小

38.89 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Polyfet RF Devices
企业简称

POLYFET

中文名称

Polyfet RF Devices官网

原厂标识
POLYFET
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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P123规格书详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications.

Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high F enhance broadband performance

产品属性

  • 型号:

    P123

  • 功能描述:

    SCR HY-BRIDGE 800V 25A PACE-PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    半导体模块 >> SCR

  • 系列:

    -

  • 其它有关文件:

    SCR Module Selection Guide

  • 标准包装:

    10

  • 结构:

    串联 - SCR/二极管 SCR

  • 数目,二极管:

    1 SCR,1 个二极管 电压 -

  • 断路:

    1600V 电流 -

  • 栅极触发电流(Igt)(最大):

    150mA 电流 -

  • 导通状态(It(AV))(最大):

    95A 电流 -

  • 导通状态(It(RMS))(最大):

    210A 电流 -

  • 非重复电涌,50、60Hz(Itsm):

    1785A,1870A 电流 -

  • 维持(Ih):

    250mA

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    ADD-A-PAK(3 + 2)

  • 包装:

    散装

  • 其它名称:

    *IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND

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