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OX821KE	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：轴向类别：电阻器通孔式电阻器描述：RES 820 OHM 10% 1W AXIAL	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
821	文件：179.38 Kbytes Page：1 Pages	PanelMount,for5x20mmFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
821	文件：178.23 Kbytes Page：4 Pages	SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS ●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment	PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD 寶德華股台灣寶德華股有限公司
821	文件：2.45329 Mbytes Page：11 Pages	Mill-MaxSpring-loadedConnectorsMinimizeNoise	MILL-MAX Mill-Max Manufacturing Corp.
821	文件：577.02 Kbytes Page：6 Pages	3M??Scotch짰LabelProtectionTape821	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
821	文件：817.73 Kbytes Page：4 Pages	POWERINDUCTOR ●FEATURE 1.Excellentsolderheatresistance(add“C”isforhighcurrenttype) 2.Lowvoltagedropsandsmallvariationsinductance ●APPLICATION 1.DCpowersupplycircuits 2.Powerlinechokecoils…etc	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
821	文件：718.61 Kbytes Page：4 Pages	WIREWOUNDSMDINDUCTOR ●FEATURE 1.Lowcorelossforhighfrequencypowerapplication 2.Largeterminalsurface ●APPLICATION 1.Portablecommunicationequipment,notebookcomputer	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
821B	文件：66.99 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ●latHandlingSurfaceforAccuratePlacement ●tandardZenerBreakdownVoltageRange-3.3Vto68V ●owProfilePackage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
821JE	文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
A821ERW	文件：196 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,8WDIPWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)
AD821	文件：141.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICONDUALDIFFERNTIALAMPLIFIERTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
ADG821	文件：333.49 Kbytes Page：12 Pages	??CMOS1.8Vto5.5V,DualSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG821/ADG822/ADG823aremonolithicCMOSsinglepole,single-throw(SPST)switches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipation,yetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES 0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG821BRM	文件：333.49 Kbytes Page：12 Pages	??CMOS1.8Vto5.5V,DualSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG821/ADG822/ADG823aremonolithicCMOSsinglepole,single-throw(SPST)switches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipation,yetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES 0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG821BRM	文件：215.4 Kbytes Page：12 Pages	1ohmCMOS,1.8Vto5.5V,DualSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG821/ADG822/ADG823aremonolithicCMOSsinglepole,single-throw(SPST)switches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipation,yetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES 0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG821BRM-REEL	文件：215.4 Kbytes Page：12 Pages	1ohmCMOS,1.8Vto5.5V,DualSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG821/ADG822/ADG823aremonolithicCMOSsinglepole,single-throw(SPST)switches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipation,yetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES 0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG821BRMZ	文件：215.4 Kbytes Page：12 Pages	1ohmCMOS,1.8Vto5.5V,DualSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG821/ADG822/ADG823aremonolithicCMOSsinglepole,single-throw(SPST)switches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipation,yetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES 0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR821	文件：611.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower,PrecisionReferenceandOpAmp GENERALDESCRIPTION TheADR821/ADR827combinesaprecisionvoltagereferenceandanopampina10-leadminismalloutlinepackage(MSOP).Thereferenceandtheopampcanbeoperatedindependently,offeringtheuserarangeofflexibilitywhenarrangingthecombination.Featuringacombinedoper	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR821	文件：612.69 Kbytes Page：20 Pages	LowPower,PrecisionReferenceandOpAmp	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR821ARMZ	文件：611.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower,PrecisionReferenceandOpAmp GENERALDESCRIPTION TheADR821/ADR827combinesaprecisionvoltagereferenceandanopampina10-leadminismalloutlinepackage(MSOP).Thereferenceandtheopampcanbeoperatedindependently,offeringtheuserarangeofflexibilitywhenarrangingthecombination.Featuringacombinedoper	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR821BRMZ	文件：611.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower,PrecisionReferenceandOpAmp GENERALDESCRIPTION TheADR821/ADR827combinesaprecisionvoltagereferenceandanopampina10-leadminismalloutlinepackage(MSOP).Thereferenceandtheopampcanbeoperatedindependently,offeringtheuserarangeofflexibilitywhenarrangingthecombination.Featuringacombinedoper	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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产品属性

产品编号：
OX821KE
制造商：
Ohmite
类别：
电阻器 > 通孔式电阻器
系列：
OX
包装：
卷带（TR）
容差：
±10%
功率 (W)：
1W
成分：
陶瓷
特性：
防潮，脉冲耐受
温度系数：
-1000/ -1600ppm/°C
工作温度：
-40°C ~ 220°C
封装/外壳：
轴向
供应商器件封装：
轴向
大小 / 尺寸：
0.217" 直径 x 0.650" 长（5.50mm x 16.50mm）
描述：
RES 820 OHM 10% 1W AXIAL

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