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OP249FZ	文件：438.83 Kbytes Page：20 Pages	Precision JFET, High Speed, Dual Operational Amplifier GENERALDESCRIPTION TheOP249isahighspeed,precisiondualJFETopamp,similartothepopularsingleopamp.TheOP249outperformsavailabledualamplifiersbyprovidingsuperiorspeedwithexcellentdcperformance.Ultrahighopen-loopgain(1kV/mVminimum),lowoffsetvoltage,andsuperbga	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
OP249FZ	文件：702.39 Kbytes Page：17 Pages	Dual, Precision JFET High Speed Operational Amplifier GENERALDESCRIPTION TheOP249isahighspeed,precisiondualJFETopamp,similartothepopularsingleopamp.TheOP249outperformsavailabledualamplifiersbyprovidingsuperiorspeedwithexcellentdcperformance.Ultrahighopen-loopgain(1kV/mVminimum),lowoffsetvoltage,andsuperbga	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
OP249FZ	文件：567.2 Kbytes Page：20 Pages	Dual, Precision JFET High Speed Operational Amplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
OP249FZ	文件：441.26 Kbytes Page：19 Pages	Precision JFET, High Speed, Dual Operational Amplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
249	文件：97.21 Kbytes Page：3 Pages	1/2(12.7mm)ConductivePlastic&CermetPotentiometers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
249	文件：82.21 Kbytes Page：5 Pages	1/2(12.7mm)ConductivePlasticandCermetPotentiometers FEATURES •Model248:0.5Wat70°C(conductiveplastic element) •Model249:1Wat70°C(cermetelement) •Costeffectivepanelpotentiometer •PCBmounting •TestsaccordingtoCECC41000orIEC60393-1 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
249NQ	文件：114.21 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AH249HP	文件：186.09 Kbytes Page：2 Pages	PrivacyMaskFunction	A1PROSA1 PROs co., Ltd. 韩国A1 PROS电子韩国A1 PROS电子有限公司	A1PROS
AH249VP	文件：174.52 Kbytes Page：2 Pages	RS485OPTION	A1PROSA1 PROs co., Ltd. 韩国A1 PROS电子韩国A1 PROS电子有限公司	A1PROS
AN249	文件：434.33 Kbytes Page：42 Pages	HUMANINTERFACEDEVICETUTORIAL Introduction TheHumanInterfaceDevice(HID)classspecificationallowsdesignerstocreateUSB-baseddevicesandapplicationswithouttheneedforcustomdriverdevelopment.Theirhighlevelsofon-chipintegrationandrobustUSBinterfacemakeSiliconLaboratoriesmicrocontrollersidealdevi	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
AP249	文件：316.28 Kbytes Page：5 Pages	MMIC	RFHICRFHIC RFHIC	RFHIC
AP249	文件：215.67 Kbytes Page：6 Pages	HighLinearityDriveAmplifier	RFHICRFHIC RFHIC	RFHIC
BD249	文件：133.25 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-lc=25A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=45V(Min)-BD249;60V(Min)-BD249A 80V(Min)-BD249B;100V(Min)-BD249C •ComplementtoTypeBD250/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifie	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD249	文件：146.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD249	文件：134.76 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBD250/A/B/C ·125Wat25°Ccasetemperature ·25Acontinuouscollectorcurrent	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD249	文件：145.26 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBD250/A/B/C ·125Wat25°Ccasetemperature ·25Acontinuouscollectorcurrent	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD249	文件：114.43 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD250Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD249	文件：109.16 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD250Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD249	文件：131.99 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(25A,125W) COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
BD249	文件：93.76 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD250Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd	POINN

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详细参数

型号：
OP249F
功能描述：
IC OPAMP JFET 4.7MHZ DUAL 8CDIP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
2,500
系列：
Excalibur™
放大器类型：
J-FET
电路数：
1
输出类型：
-
转换速率：
45 V/µs
增益带宽积：
10MHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
20pA 电压 -
输入偏移：
490µV 电流 -
电源：
1.7mA 电流 -
输出/通道：
48mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多OP249F供应商更新时间2024-6-3 17:09:00

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