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4430	文件：1.00305 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
4430	文件：45.03 Kbytes Page：2 Pages	DoubleCoatedFoamTape	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
4430GM-HF	文件：1.83833 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AK4430	文件：365.62 Kbytes Page：18 Pages	192kHz24-BitStereo?誇DACwith2VrmsOutput	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AK4430ET	文件：365.62 Kbytes Page：18 Pages	192kHz24-BitStereo?誇DACwith2VrmsOutput	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AK4430ET	文件：365.62 Kbytes Page：18 Pages	192kHz24-BitStereo	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AKD4430	文件：365.62 Kbytes Page：18 Pages	192kHz24-BitStereo?誇DACwith2VrmsOutput	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AKD4430-SA	文件：506.96 Kbytes Page：20 Pages	AK4430EvaluationBoardRev.1	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AM4430N	文件：165.85 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power
AN4430	文件：871.43 Kbytes Page：42 Pages	DesigninganNFCAndroidApplicationforM24SRandM24LRdevices	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
AO4430	文件：284.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4430/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunity,bodydiodecharacteristicsandultra-lowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinNotebookCPUcorepowerconversion. AO4430andAO4430	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4430	文件：1.21507 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=18A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4430	文件：2.18635 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4430/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunity,bodydiodecharacteristicsandultra-lowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinNotebookCPUcorepowerconversion. AO4430andAO4430	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司
AO4430	文件：1.83771 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AO4430A	文件：993.26 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AO4430-HF	文件：1.80181 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=18A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4430L	文件：284.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4430/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunity,bodydiodecharacteristicsandultra-lowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinNotebookCPUcorepowerconversion. AO4430andAO4430	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AP4430GEM	文件：255.17 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP4430GM-HF	文件：99.22 Kbytes Page：4 Pages	Ultra_LowOn-resistance,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
APM4430	文件：179.27 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/12.5A, RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryP	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子

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更多OMAP4430CBS供应商更新时间2024-4-28 11:12:00

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