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OM5645E-R58	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：轴向类别：电阻器通孔式电阻器描述：RES 560K OHM 5% 1W AXIAL	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
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AD5645R	文件：819.14 Kbytes Page：32 Pages	Quad,12-/14-/16-BitnanoDACswith5ppm/째COn-chipRef,I2CInterface GENERALDESCRIPTION TheAD5625R/AD5645R/AD5665R,AD5625/AD5665membersofthenanoDACfamily,arelowpower,quad,12-,14-,16-bitbufferedvoltage-outDACswith/withoutanon-chipreference.Alldevicesoperatefromasingle2.7Vto5.5Vsupply,areguaranteedmonotonicbydesignandhavean	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD5645RBRUZ	文件：819.14 Kbytes Page：32 Pages	Quad,12-/14-/16-BitnanoDACswith5ppm/째COn-chipRef,I2CInterface GENERALDESCRIPTION TheAD5625R/AD5645R/AD5665R,AD5625/AD5665membersofthenanoDACfamily,arelowpower,quad,12-,14-,16-bitbufferedvoltage-outDACswith/withoutanon-chipreference.Alldevicesoperatefromasingle2.7Vto5.5Vsupply,areguaranteedmonotonicbydesignandhavean	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD5645RBRUZ	文件：1.25583 Mbytes Page：36 Pages	Quad,12-/14-/16-BitnanoDACswith5ppm/째COn-ChipReference,I2CInterface	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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BCM5645	文件：104.44 Kbytes Page：2 Pages	STRATASWITCHII??BCM5645INTEGRATEDMULTI-LAYERSWITCH	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
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FDB5645	文件：328.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP5645	文件：333.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP5645	文件：422.33 Kbytes Page：10 Pages	60VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •80A,60V.RDS(ON)=0.0095Ω@VGS=10V RDS(ON)=0.011Ω	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G5645	文件：148.22 Kbytes Page：4 Pages	GaAsPphotodiode GaAsPphotodiodeDiffusiontype Short-wavelengthtypephotodiode Features ●Lowdarkcurrent ●Narrowspectralresponserange Applications ●Analyticalinstruments ●UVdetection	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
HEDL-5645	文件：140.83 Kbytes Page：4 Pages	AvailableonBothEncoderModules(HEDS-9000Series)andEncoderKitHousing(HEDS-5500Series)	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO

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产品属性

产品编号：
OM5645E-R58
制造商：
Ohmite
类别：
电阻器 > 通孔式电阻器
系列：
Little Rebel® OM
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
功率 (W)：
1W
成分：
炭膜
温度系数：
-700ppm/°C
封装/外壳：
轴向
供应商器件封装：
轴向
大小 / 尺寸：
0.197" 直径 x 0.472" 长（5.00mm x 12.00mm）
描述：
RES 560K OHM 5% 1W AXIAL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	OM5791SR	IR	22+	D2	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	OM5791SR	IR	23+	D2	8000	只做原装现货	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	OM592	PHILIPS	02+	BGA24	300	现货供应	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	OM592	PHILIPS	22+	BGA24	1455	⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙	询价
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