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NXPSC20650W分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NXPSC20650W |
| 参数属性 | NXPSC20650W 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：SILICON CARBIDE POWER DIODE |
| 功能描述 | Silicon Carbide Diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
291.07 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | WeEn Semiconductors |
| 企业简称 |
WEEN【瑞能半导体】 |
| 中文名称 | 瑞能半导体科技股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 20:00:00 |
| 人工找货 | NXPSC20650W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NXPSC20650W规格书详情
NXPSC20650W属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由瑞能半导体科技股份有限公司制造生产的NXPSC20650W二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。
产品属性
更多- 产品编号：
NXPSC20650W-AQ
- 制造商：
WeEn Semiconductors
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装：
管件
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
碳化硅肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
20A
- 速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
- 工作温度 - 结：
175°C（最大）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
SILICON CARBIDE POWER DIODE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
QFP |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT617 |
6832 |
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恩XP |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
KEC |
24+ |
SOT-252 |
13718 |
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恩XP |
23+ |
QFP |
98900 |
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询价 | ||
恩XP |
22+ |
NA |
35000 |
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询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT617 |
12000 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
IGBT |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
WeEn(瑞能) |
2447 |
SOT429 |
315000 |
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询价 | ||
WEEN |
5 |
询价 |
