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NVTYS029N08HTWG中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NVTYS029N08HTWG

功能描述

MOSFET ??Power, Single N-Channel 80 V, 32.4 m, 21 A

丝印标识

029N08H

封装外壳

LFPAK33

文件大小

339.3 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-14 11:21:00

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NVTYS029N08HTWG规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low Capacitance to Minimize Driver Losses

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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