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详细参数

  • 型号:

    NVD5413N

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
23+
TO-252
11846
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ON/安森美
23+
TO-252
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
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TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片
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更多NVD5413N供应商 更新时间2025-11-10 8:01:00