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NUS5531MTR2G分立半导体产品的晶体管-特殊用途规格书PDF中文资料

NUS5531MTR2G
厂商型号

NUS5531MTR2G

参数属性

NUS5531MTR2G 封装/外壳为8-WDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-特殊用途;NUS5531MTR2G应用范围:通用;产品描述:MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN

功能描述

Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT
MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN

封装外壳

8-WDFN 裸露焊盘

文件大小

150.98 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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NUS5531MTR2G规格书详情

NUS5531MTR2G属于分立半导体产品的晶体管-特殊用途。由安森美半导体公司制造生产的NUS5531MTR2G晶体管 - 特殊用途特殊用途晶体管系列产品属于分立晶体管或晶体管阵列,带有或不带有附加的集成无源元件和内部连接,可用于或经调整用于某些狭窄或特定的用途,例如电流镜、平衡串联电容器组或负载切换。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NUS5531MTR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 特殊用途

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP,P 通道

  • 应用:

    通用

  • 电压 - 额定:

    20V PNP,12V P 通道

  • 额定电流(安培):

    2A PNP,5.47A P 通道

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-WDFN(3x3)

  • 描述:

    MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN

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