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NTZD3152P	文件：98.81 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET ??0 V, ??30 mA, Dual P?묬hannel with ESD Protection, SOT??63 文件：98.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3152P	文件：71.47 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：71.47 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3152PT1G	文件：2.78982 Mbytes Page：5 Pages	丝印：TU.R；Package：SOT-563；20V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET‘ Features Fast switching Green Device Available Suit for 1.5V Gate Drive Applications 文件：2.78982 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NTZD3152P_16	文件：71.47 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：71.47 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3152PT1G	文件：98.81 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET ??0 V, ??30 mA, Dual P?묬hannel with ESD Protection, SOT??63 文件：98.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTZD3152PT1H	文件：71.47 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：71.47 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3152PT1H	文件：98.81 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET ??0 V, ??30 mA, Dual P?묬hannel with ESD Protection, SOT??63 文件：98.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3152PT5G	文件：98.81 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET ??0 V, ??30 mA, Dual P?묬hannel with ESD Protection, SOT??63 文件：98.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3152PT5H	文件：71.47 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：71.47 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
6
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
0.4
PD Max (W)：
0.25
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=600
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=500
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.7
Ciss Typ (pF)：
105
Package Type：
SOT-563

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