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NTY100N10	文件：162.94 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 123 A, 100 V N?묬hannel Enhancement?묺ode TO264 Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTY100N10	文件：70.94 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 123 A, 100 V N-Channel Enhancement-Mode TO264 Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTY100N10G	文件：162.94 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 123 A, 100 V N?묬hannel Enhancement?묺ode TO264 Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PRM100N10E	文件：859.69 Kbytes Page：8 Pages	100VSingleN-ChannelMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
RSD100N10	文件：1.11775 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RSD100N10	文件：1.16365 Mbytes Page：7 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSD100N10FRA	文件：1.44014 Mbytes Page：10 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SK100N10PP	文件：1.11216 Mbytes Page：5 Pages	N-Ch100VFastSwitchingMOSFETs	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
STRH100N10	文件：474.89 Kbytes Page：17 Pages	Rad-Hard100V,48AN-channelPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
NTY100N10
功能描述：
MOSFET 100V 123A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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