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NTRV4101P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTRV4101P

功能描述

单 P 沟道沟槽功率 MOSFET -20V,-3.2A,85mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 15:19:00

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NTRV4101P规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. -20V, -3.2A, 85 mOhm, Single P-Channel, SOT23. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Leading -20 V Trench for Low RDS(on)
• -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive
• SOT-23 Surface Mount for Small Footprint
• Qualified to AEC Q101
• PPAP Capable
• RoHS Compliant

应用 Application

• Load/Power Management for Portables
• Load/Power Management for Computing
• Charging Circuits and Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :NTRV4101P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.2

  • ID Max (A)

    :3.2

  • PD Max (W)

    :0.73

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :90

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :70

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.9

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7.5

  • Ciss Typ (pF)

    :675

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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