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NTMFD4C86N

Dual N-Channel SO8FL

文件:133.26 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFD4C86NT1G

Dual N-Channel SO8FL

文件:133.26 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFD4C86NT3G

Dual N-Channel SO8FL

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ONSEMI

安森美半导体

NTMFD4C86NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

ONSEMI

安森美半导体

NTMFD4C86NT3G

Dual N-Channel SO8FL

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • FET 功能:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    11.3A,18.1A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    5.4 毫欧 @ 30A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.2V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    22.2nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    1153pF @ 15V

  • 功率 - 最大值:

    1.1W

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件封装:

    8-DFN(5x6)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTMFD4C86N供应商 更新时间2025-10-6 13:58:00