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技术参数

FET 功能：
标准
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
15.4A，29.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
1960pF @ 15V
功率 - 最大值：
1.13W
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-PowerTDFN
供应商器件封装：
8-DFN（5x6）

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