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NTMFD4902NF	文件：106.49 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky 文件：106.49 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4902NF	文件：109.82 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET 文件：109.82 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4902NFT1G	文件：109.82 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET 文件：109.82 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4902NFT1G	文件：167.14 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky 文件：167.14 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4902NFT1G	文件：167.14 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky 文件：167.14 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4902NFT3G	文件：109.82 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET 文件：109.82 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4902NFT3G	文件：106.49 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky 文件：106.49 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4902NF	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，功率 MOSFET，带集成肖特基，30V Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky 30 V, High Side 18 A / Low Side 23 A, Dual N−Channel SO8FL • Co−Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space\n• Optimized Devices to Reduce Power Losses\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
18.2
PD Max (W)：
1.9
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
20.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
9.7
Ciss Typ (pF)：
Q1
Package Type：
SO-8FL Dual/DFN-8

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更多NTMFD4902NF供应商更新时间2025-10-4 13:57:00

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