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NTMD2P01R2

Power MOSFET ??.3 Amps, ??6 Volts

文件:142.24 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD2P01R2

小信号 MOSFET,16V,2.3A,100mΩ,双 P 沟道,SO-8

功率 MOSFET,-2.3 A,-16 V,P 沟道,双 SO-8 封装 • High Efficiency Components in a Single SO-8 Package\n• High Density Power MOSFET with Low RDS(on)\n• Logic Level Gate Drive\n• SO-8 Surface Mount Package, Mounting Information for SO-8 Package Provided\n• Pb-Free Packages are Available;

ONSEMI

安森美半导体

NTMD2P01R2G

Power MOSFET ??.3 Amps, ??6 Volts

文件:142.24 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD5838NLR2G

ON
SOIC-8

ON

NTMFD0D9N02P1E

ONSEMI

ONSEMI

安森美半导体

上传:天津市博通航睿技术有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTMD2P01R2

  • 功能描述:

    MOSFET -16V 2.3A Dual

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTMD2P01R2供应商 更新时间2025-10-6 15:30:00