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NTMD2P01R2	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号 MOSFET，16V，2.3A，100mΩ，双 P 沟道，SO-8; • High Efficiency Components in a Single SO-8 Package\n• High Density Power MOSFET with Low RDS(on)\n• Logic Level Gate Drive\n• SO-8 Surface Mount Package, Mounting Information for SO-8 Package Provided\n• Pb-Free Packages are Available; 功率 MOSFET，-2.3 A，-16 V，P 沟道，双 SO-8 封装	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTMD2P01R2

文件：300 bytes

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小信号 MOSFET，16V，2.3A，100mΩ，双 P 沟道，SO-8; • High Efficiency Components in a Single SO-8 Package\n• High Density Power MOSFET with Low RDS(on)\n• Logic Level Gate Drive\n• SO-8 Surface Mount Package, Mounting Information for SO-8 Package Provided\n• Pb-Free Packages are Available;

功率 MOSFET，-2.3 A，-16 V，P 沟道，双 SO-8 封装

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详细参数

型号：
NTMD2P01R2
功能描述：
MOSFET -16V 2.3A Dual
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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