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NTF2955	文件：562.52 Kbytes Page：7 Pages	-60V P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -60V ID = -7A (VGS = -10V) ID = -6A (VGS = -4.5V) RDS(ON) 文件：562.52 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
NTF2955	文件：56.41 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：56.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF2955	文件：116.08 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??.6 A, Single P?묬hannel SOT??23 文件：116.08 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF2955	文件：115.8 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：115.8 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF2955	文件：118.65 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：118.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF2955	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道，功率 MOSFET，-60V，-2.6A，170mΩ This is a -60 V, P-Channel MOSFET in SOT-223 package.It is an extremely rugged device and has a large safe operating area. • Design for low RDS(on)\n• Withstands High Energy in Avalache and Commutaion Modes\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF2955T1G	文件：3.26024 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2955；Package：SOT223；60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Application ● DC-DC Converters. ● Load Switch. ● Power Management. 文件：3.26024 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NTF2955T1G	文件：562.52 Kbytes Page：7 Pages	-60V P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -60V ID = -7A (VGS = -10V) ID = -6A (VGS = -4.5V) RDS(ON) 文件：562.52 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
NTF2955_14	文件：118.65 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：118.65 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF2955P	文件：115.8 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：115.8 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
-2.6
PD Max (W)：
2.3
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
180
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
7.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
14
Ciss Typ (pF)：
492
Package Type：
SOT-223-4/TO-261-4D

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更多NTF2955供应商更新时间2025-10-4 9:05:00

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