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NTE6412	文件：18.72 Kbytes Page：2 Pages	Bilateral Trigger Diodes (DIACS) Description: The NTE6407 thru NTE6412 are bilateral trigger DIACs offering a range of voltage characteristics from 28V to 63V. These devices are triggered from a blocking–to–conduction state for either polarity of applied voltage whenever the amplitude of applied voltage exceeds the breakover v 文件：18.72 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
NTE6412	文件：300 bytes Page：1 Pages	DIACs	NTE	NTE
NTP6412AN	文件：145.42 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 m廓文件：145.42 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP6412AN	文件：147.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：147.88 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP6412ANG	文件：145.42 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 m廓文件：145.42 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTE6412
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
D-DIAC 63V+-7V-2A
功能描述：
DIAC, 70V, 1.5A, DO-204AH; Breakover Voltage Vbo
Min：
56V; Breakover Voltage Vbo
Max：
70V; Breakover Current
Max.：
25A; Peak Forward
Current：
1.5A; Thyristor
Case：
DO-204AH; No. of
Pins：
2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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