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NTE6412	文件：18.72 Kbytes Page：2 Pages	Bilateral Trigger Diodes (DIACS) Description: TheNTE6407thruNTE6412arebilateraltriggerDIACsofferingarangeofvoltagecharacteristicsfrom28Vto63V.Thesedevicesaretriggeredfromablocking–to–conductionstateforeitherpolarityofappliedvoltagewhenevertheamplitudeofappliedvoltageexceedsthebreakoverv	NTE NTE Electronics	NTE
NTP6412AN	文件：145.42 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,58A,18.2m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP6412AN	文件：147.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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PJS6412	文件：510.69 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@8A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
S6412	文件：129.52 Kbytes Page：1 Pages	Nytyes®withStainlessSteelLockingDevice	HeycoHeyco. 海科	Heyco
S6412	文件：129.81 Kbytes Page：1 Pages	Nytyes®withStainlessSteelLockingDevice	HeycoHeyco. 海科	Heyco

详细参数

型号：
NTE6412
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
D-DIAC 63V+-7V-2A
功能描述：
DIAC, 70V, 1.5A, DO-204AH; Breakover Voltage Vbo
Min：
56V; Breakover Voltage Vbo
Max：
70V; Breakover Current
Max.：
25A; Peak Forward
Current：
1.5A; Thyristor
Case：
DO-204AH; No. of
Pins：
2

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