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RN2107CT	文件：151.49 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess)(BiasResistorbuilt-inTransistor) SwitchingApplications InverterCircuitApplications InterfaceCircuitApplications DriverCircuitApplications •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. •Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermorecompactequipmentandsaveassemblycost. •Co	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2107F	文件：217.25 Kbytes Page：5 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1107F~RN1109F	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2107MFV	文件：200.7 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting ●Incorporatingabiasresistorintothetransistorreducesthenumberofparts,so enablingthemanufactureofevermorecompactequipmentandlowering	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RSZ-2107	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-2107HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
SI2107	文件：952.89 Kbytes Page：80 Pages	SATELLITERECEIVERFORDVB-S/DSS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI2107	文件：1.24083 Mbytes Page：94 Pages	SATELLITERECEIVERFORDVB-S/DSSWITHQUICKLOCKANDQUICKSCAN	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI2107-X-FM	文件：1.24083 Mbytes Page：94 Pages	SATELLITERECEIVERFORDVB-S/DSSWITHQUICKLOCKANDQUICKSCAN	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI2107-X-FM	文件：952.89 Kbytes Page：80 Pages	SATELLITERECEIVERFORDVB-S/DSS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SMV2107	文件：35.68 Kbytes Page：1 Pages	PLASTICSURFACEMOUNTGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES PLASTICSURFACEMOUNTGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES DCPowerDissipation@Ta=25°C250mW ReverseBreakdownVoltage@10µA30VMin MaxReverseCurrent(IR)@Ta=25°C0.1µA@25Vdc OperatingTemperature(Topr)-55to+125°C StorageT	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX

详细参数

型号：
NTE2107
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
IC, DRAM, 4KBIT, DIP-16; Memory
Type：
DRAM - NMOS; Memory
Configuration：
4K x 1; Access
Time：
200ns; Page
Size：
4Kbit; Memory Case
Style：
DIP; No. of
Pins：
16; Operating Temperature
Min：
0C; Operating Temperature
Max：
70C ;RoHS
Compliant：
Yes
Pins：
16; IC Interface
Type：
(Not Available); Operating Temperature
Min：
0C ;RoHS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛尔通科技有限公司	NTE211	NTE	23+		65480		询价
万三科技(深圳)有限公司	NTE21128	NTE	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE213		24+	N/A	51000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
上海金庆电子技术有限公司	NTE214		新		37	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE214		2022+		33	全新原装货期两周	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE219	NTE	23+	TO-3	39250	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市赛美科科技有限公司	NTE22	OTAX		DIP-3	35560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
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瀚佳科技(深圳)有限公司	NTE2309	SANYO	24+	TO-3P	36500	原装现货/放心购买	询价

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