选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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ONTO252 |
25000 |
22+ |
原装现货,实单支持 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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SOP |
30991 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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原装NA |
34745 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
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NANA |
99999999 |
23+ |
原装正品现货、订货价格优惠可开票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ONTO251 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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ON(安森美)TO-252 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO252 |
8048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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ONTO-252 |
15000 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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深圳硅原半导体有限公司7年
留言
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ON/安森美SOT252 |
24565 |
诚心经营 原盒原标 正品现货 价格美丽假一罚十 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON进口原装TO-252 |
12800 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ON/安森美TO252 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
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ONTO-252 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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ONSEMINA |
30 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
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ONTO252 |
23000 |
22+ |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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ON/安森美TO252 |
12316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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ONSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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NTD60N02RT4价格
NTD60N02RT4价格:¥1.9500品牌:ON
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更多NTD60制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD60N02R功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD60N02R-001功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD60N02R-032制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK
NTD60N02R-032G制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK
NTD60N02R-035功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD60N02R-1G功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD60N02R-35G功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD60N02RG功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD60N02RT4功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube