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NTD5802NS	文件：1.57382 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
NTE5802	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE
NVD5802N	文件：261.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=101A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD5802N	文件：130.24 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,SingleN?묬hannel,101ADPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PT5802	文件：227.11 Kbytes Page：13 Pages	18AOutputCurrent	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PT5802	文件：203.27 Kbytes Page：11 Pages	18-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SIDR5802EP	文件：178.81 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel80V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®GenVpowerMOSFET •VerylowRDS-Qgfigure-of-merit(FOM) •TunedforthelowestRDS-QossFOM •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Synchronousrectification •Prima	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR5802DP	文件：244.39 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenVpowerMOSFET •Ultra-lowRDSxQgFOMproduct •OptimizedQgd/Qgsratio •Excellentefficiencyperformancein powersupplies •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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更多NTD5802NG供应商更新时间2024-9-24 11:09:00

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